Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% ONSEMI
Номер продукта: MMBZ12VALT1G
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-06-06 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2750 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% ONSEMI
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
MMBZ12VALT1G
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
MMBZ12VALT1G
Product ID
U-261633
Breakdown voltage
12V
Case
SOT23
Features of semiconductor devices
ESD protection
Kind of package
tape
Leakage current
0.2µA
Manufacturer
ONSEMI
Max. forward impulse current
2.35A
Max. off-state voltage
8.5V
Mounting
SMD
Peak pulse power dissipation
40W
Semiconductor structure
common anode
Type of diode
TVS array
Tolerance
±5%
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
