Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A VISHAY
Prekės kodas: SIRC18DP-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-11 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIRC18DP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRC18DP-T1-GE3
Product ID
U-3046136
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
60A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
111nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.54mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
34.7W
Pulsed drain current
250A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
