Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW PanJit Semiconductor
Номер продукта: PJT138K-AU-R1
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-13 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 3000 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW PanJit Semiconductor
Спецификации
Артикул
U-3139403
NomNr
PJT138K-AU-R1
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Параметры товара поставщика
Product code
PJT138K-AU-R1
Supplier's product code
PJT138K-AU-R1
Product ID
U-3139403
Application
automotive industry
Case
SOT363
Drain current
0.36A
Drain-source voltage
50V
Gate charge
1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
4.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
236mW
Pulsed drain current
1.2A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
