Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V VISHAY
Номер продукта: SIZ998DT-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-20 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Параметры товара поставщика
NomNr
SIZ998DT-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIZ998DT-T1-GE3
Product ID
U-3116565
Drain current
20/60A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
18/44.3nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
10/3.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
20.2/32.9W
Pulsed drain current
90...130A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2 + Schottky
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
