Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 335W INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: DDB6U75N16W1RBOMA1
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 335W INFINEON TECHNOLOGIES
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 335W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
DDB6U75N16W1RBOMA1
Supplier's product code
DDB6U75N16W1RBOMA1
Product ID
U-3133528
Case
AG-EASY1B
Collector current
50A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage
1.6kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
335W
Pulsed collector current
100A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Brand
INFINEON
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].